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SRAM时序测试电路及测试方法

来源：图艺博知识网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310303166.6 （22）申请日 2013.07.17

（71）申请人苏州兆芯半导体科技有限公司

地址 215021 江苏省苏州市工业园区创意产业园11-103单元

（10）申请公布号 CN1033222A

（43）申请公布日 2013.09.25

（72）发明人王林

（74）专利代理机构苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人安纪平

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

SRAM时序测试电路及测试方法

（57）摘要

本发明揭示了一种SRAM时序测试电路及

测试方法，所述测试电路包括SRAM存储单元和测试电路单元，所述测试电路单元包括与所述SRAM存储单元连接的第一模式切换电路，与所述第一模式切换电路连接的边沿信号触发电路，与所述边沿信号触发电路相连的第二模式切换电路。第一模式切换电路具有第一使能端，第二模式切换电路具有第二使能端，根据第一使能端和第二使能端的信号控制不同，在测试电路中可分别形成

第一环形振荡电路和第二环形振荡电路，通过测量两个环形振荡电路的输出振荡周期，从而精确得到SRAM存储单元读取数据的时间值。本发明可通过自动布线工具完成，具有测量误差小、精度高、测量简单的优点。

法律状态

法律状态公告日

2013-09-25 2013-10-30 2016-03-23

法律状态信息

公开

实质审查的生效授权

法律状态

公开

实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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