提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法[发明专利]

来源：图艺博知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及

方法

专利类型：发明专利

发明人：徐江涛,孙羽,高静,史再峰,姚素英申请号：CN201210213315.5申请日：20120626公开号：CN102709304A公开日：20121003

摘要：提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法。本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)固态图像传感器。为保证扩展的满阱容量可以全耗尽，使得该扩展是不以损耗图像拖尾性能为前提的，并从根本上提升动态范围、信噪比、灵敏度等像素单元关键性能指标，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法，结构为：在P型外延层内注入一个深度较浅的N埋层，N埋层上面是高浓度掺杂P+钳位层，N埋层下面还设置有第二个N埋层，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处向N埋层内部，形成有纵向的P插入层结构。本发明主要应用于图像传感器的设计制造。

申请人：天津大学

地址：300072 天津市南开区卫津路92号

国籍：CN

代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人：刘国威

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