改善晶圆表面平坦度的方法[发明专利]

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专利名称：改善晶圆表面平坦度的方法专利类型：发明专利

发明人：詹前庆,欧阳允亮,卢永伟申请号：CN03121971.3申请日：20030418公开号：CN1538505A公开日：20041020

摘要：本发明揭示一种改善晶圆表面平坦度的方法，适用在一晶圆上以化学气相沉积法(chemicalvapor deposition；CVD)沉积复数层的薄膜，包括：一晶圆；将晶圆置入一第一薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜，其中第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口(injector)，且晶圆相对第一反应气体注入口具有一第一方向；将晶圆置入一第二薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜，其中第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口

(injector)，而第一、第二反应气体注入口的数量与排列方式大体相同，且晶圆相对第二反应气体注入口具有一第二方向，第二方向与该第一方向具有一第一角度，使第二反应气体注入口在晶圆上投影点与第一反应气体注入口在晶圆上投影点不同。

申请人：矽统科技股份有限公司

地址：省新竹科学工业园区

国籍：CN

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

代理人：王一斌

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