一种单晶炉二次加料装置以及加料方法[发明专利]

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专利名称：一种单晶炉二次加料装置以及加料方法专利类型：发明专利

发明人：李炜,王林,马鑫,许雪松,刘杰申请号：CN201310193424.X申请日：20130523公开号：CN103243381A公开日：20130814

摘要：本发明涉及一种单晶炉二次加料装置以及加料方法，装置包括吊盘，吊盘的上部设置有复数个挂钩，该加料装置设置有复数套硅片料层，复数套硅片料层中最上层硅片料包括长硅片料和短硅片料，最上层硅片料之间采用采用耐高温横连接件连接，最上层硅片料与吊盘之间采用耐高温竖直连接件连接，其余层硅片料之间通过硅销连接，其余层硅片料层与层之间采用硅片料本身连接，两层硅片料之间采用硅片料中的长硅片料连接。本发明能直接使用片块状硅料、无容器污染、成本较低且操作方便，可使石英坩埚得到充分利用，并且可根据石英坩埚情况重复加料，两次加料后石英坩埚成本可降50%以上，能大幅提搞生产效率，降低生产成本且操作简单。

申请人：上海九晶电子材料股份有限公司,九晶(雅安)电子材料有限公司

地址：201617 上海市松江区长塔路399号

国籍：CN

代理机构：上海天翔知识产权代理有限公司

代理人：吕伴

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