专利名称：低亮度发光二极管的光罩专利类型：实用新型专利发明人：陈怡宏,刘建政,龚正申请号：CN201720621822.0申请日：20170531公开号：CN206875134U公开日：20180112
摘要：一种低亮度发光二极管的光罩，包括至少一遮蔽区域以及至少一发光区域，至少一发光区域设置于至少一遮蔽区域中，其中遮光比大于80％，且遮光比为所有遮蔽区域的面积与一低亮度发光二极管的表面积的比例。
申请人：鼎元光电科技股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区新竹市工业东四路16号
国籍：TW
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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