一种双向MOS型器件及其制造方法[发明专利]

来源：图艺博知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种双向MOS型器件及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：张金平,底聪,廖航,熊景枝,刘竞秀,李泽宏,任敏,张波申请号：CN201410809479.3申请日：20141223公开号：CN104538446A公开日：20150422

摘要：一种功率半导体器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在所述MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区和复合栅结构，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区和复合栅结构的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的耐压和低的导通压降/电阻特性。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)

代理人：李玉兴

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文