绝缘栅双极晶体管及其制作方法[发明专利]

来源：图艺博知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：绝缘栅双极晶体管及其制作方法专利类型：发明专利发明人：王海军,李江华申请号：CN201110431435.8申请日：20111221公开号：CN103178102A公开日：20130626

摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，包括多个P型柱，各P型柱将漂移区分隔成多个单元，且各P型柱和各P型柱之间的第一N型层组成P型薄层和N型薄层交替排列的结构，使组成IGBT器件的NMOS为一种超级结的库尔MOS结构，超级结的NMOS结构能使器件的漂移区更易耗尽，从而能提高漂移区的耐压能力并提高器件整体的耐压能力；漂移区的耐压能力的提高，能使漂移区的掺杂浓度提高，以及能使漂移区的厚度变薄，从而能降低器件导通电阻，增加器件的电流密度，减小器件通态时的电阻和焦耳热，提高器件的关断响应速度。本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管的制作方法。

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：丁纪铁

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文