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一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法[发明专利]

来源：图艺博知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制

备方法

专利类型：发明专利

发明人：潘国顺,顾忠华,罗桂海,龚桦,邹春莉,陈高攀,王鑫申请号：CN201310753521.X申请日：20131231公开号：CN103740281A公开日：20140423

摘要：本发明涉及一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域。该组合物包括以下组分：酸性二氧化硅溶胶、硅溶胶颗粒稳定剂、吸热剂、碱性化合物、表面活性剂、去离子水余量；所述的大尺寸硅晶片直径为200mm～300mm。本发明组合物通过组合物中稳定的机械作用及化学作用，特别避免抛光过程中温度失控现象，实现大尺寸硅晶片的均匀抛光，使大尺寸硅晶片的抛光速率快、表面平整度高，表面质量好。

申请人：深圳市力合材料有限公司,清华大学,深圳清华大学研究院

地址：518108 广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼

国籍：CN

代理机构：深圳市鼎言知识产权代理有限公司

代理人：哈达

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